据韩国媒体BusinessKorea报道，三星电子近日确认已启动第八代高带宽内存HBM5的研发工作，并计划在底层芯片（Base Die）上首次采用2nm制程工艺，打破行业传统。
异步SRAM（Async SRAM）是一种较为传统但生命力极强的存储器类型。它最显著的特征在于其运作完全独立于计算机或处理器系统的外部时钟。这种“自给自足”的工作方式，使其在特定领域，尤其
为了突破传统存储的瓶颈，新型非易失性存储技术正在崛起，包括MRAM（磁阻随机存取存储器）、ReRAM（阻变随机存取存储器）和PCM（相变存储器）。
