Everspin是设计制造和商业销售MRAMSTT-MRAM的全球领导者，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品。

MRAM涉及汽车应用。对于碰撞记录器，MRAM可以在事故发生时收集和存储更多数据，并帮助确定车辆事故或故障的原因。
 
使用传感器的汽车应用可以受益于MRAM。由于传感器连续地写入数据，因此闪存难以保持这种数据流。新的安全气囊系统还具有传感器，用于检测和记录乘客的体重，与车辆上其他安全装置的相互作用以及碰撞的影响。
 
其他汽车系统，例如里程表，轮胎气压记录仪和ABS，需要频繁地对内存进行写操作，而这些写操作很容易超过闪存的写擦除功能，并且会耗尽其内存。MRAM具有无限的写循环能力，可确保为安全气囊和ABS等关键任务设备提供更可靠的系统。
 
MRAM在军事上的使用也获得了广泛的认可。许多系统使用电池供电的SRAM，并且在电池使用方面存在固有的可靠性问题。霍尼韦尔已为飞思卡尔的MRAM技术获得军事和航空应用许可。
 
MRAM技术的进一步改进可以从根本上改变嵌入式系统的体系结构。MRAM有潜力分别取代嵌入式MCU中用于数据存储和程序存储器的RAM和闪存。MRAM有望替代两者，并允许使用单内存架构。MCU具有特定于芯片的ROM代码，MRAM可以替换这些代码以提供快速的现场可编程升级。
 
在更大的系统中微处理器使用RAM存储器来实现快速读取/写入功能。DRAM用作应用程序块的临时存储区域。硬盘驱动器存储应用程序软件和数据的非易失性信息，但是读写速度很慢。一旦MRAM取代了所有这些存储设备，即时启动PC便成为可能。
 
当前不存在通用内存。所有存储器在写循环耐久性，读/写速度和数据保留及阵列密度，功耗和价格上都有折衷。市场上的可用内存具有固有的局限性，使它们无法提供最佳的内存功能。随着进一步的完善，MRAM有一天可能会被誉为通用内存。

汽车应用Everspin MRAM

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs) / Tray	MOQ(pcs)/ T&R
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP2	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	270	1,500
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	270	1,500
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,500	270
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	1500	270
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270	1500
2Mb	128Kx16	MR1A16AMYS35	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270	1500
2Mb	128Kx16	MR1A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270	1500

 

本文关键词：MRAM  SRAM

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