FRAM是一种铁电存储器,它使用铁电膜作为电容来存储数据,即使数据没有电源也可以保存。采用铁电薄膜作为电容器来存储数据。具有ROM和RAM特性的
FRAM在高速读写,高读写耐久性,低功耗,防窜改等方面具有优势。FRAM结合了ROM和RAM的特点,具有高速写数据,低功耗,高速读/写周期等优点。
富士通型号MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM,可在125℃高温下正常工作,工作电压可低至1.7V至1.95V,并设有串行外设接口(SPI)。这种全新的FRAM产品是汽车电子控制单元的最佳选择,它能满足汽车市场对诸如ADAS这样的低功耗电子器件的高端需求。
图1:MB85RS2MLY 8pin DFN 封装
图2:应用实例(ADAS)
FRAM的读/写耐久性、写速度和功耗都比EEPROM和FRAM好,我们的FRAM被那些不满足传统非易失性存储器性能的用户所接受。
富士通不断推出64Kbit~2Mbit汽车级FRAM产品,工作电压3.3V或5V。但是高端汽车电控单元的推出,使一些用户开始要求FRAM电压不超过1.8V。这款全新的FRAM是富士通公司为满足这个市场需求而推出的。
在-40°C至+125°C的温度范围内,MB85RS2MLY的读/写次数可达10MB,适合某些需要实时数据记录的应用,如连续10年每天记录0.1秒的数据,写入次数将超过30亿。本产品的可靠性测试符合AEC-Q100Grade1标准,并通过了汽车级产品认证。所以就数据写入耐久性和可靠性而言,富士通电子最近推出的
铁电存储器FRAM完全支持ADAS等应用,需要实时数据记录。
该FRAM产品采用工业标准8-pin SOP封装,可以很容易地替代现有的EEPROM,类似于管脚。提供8-pinDFN(无引线双面平面)封装,外形尺寸5.0mmx6.0mmx0.9mm。
图3:8pin DFN和8pin SOP封装
关键规格
• 组件型号:MB85RS2MLY
• 容量(组态):2 Mbit(256K x 8位)
• 接口:SPI(Serial Peripheral Interface)
• 运作频率:最高50 MHz
• 运作电压:1.7伏特 - 1.95伏特
• 运作温度范围:摄氏零下40度 - 摄氏125度
• 读∕写耐用度:10兆次 (1013次)
• 封装规格:8-pin SOP与8-pin DFN
• 认证标准:符合AEC-Q100 Grade 1
本文关键词: FRAM
相关文章:FRAM在电池管理系统BMS应用
深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理:VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半导体品牌的专业分销商 如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
更多资讯关注SRAMSUN. www.sramsun.com 0755-66658299