SRAM是随机存取存储器的一种。静态是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。
SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。因此SRAM具有较高的性能,SRAM也有许多种,如Async SRAM (A异步SRAM)、Sync SRAM (同步SRAM)等。
随着5G网络科技的普及,越来越多的产品应用中对内存需求越来越大,当STM32系列内置SRAM出现不足的情况,设计者开始考虑是否可以采用利用STM32系列丰富的外设资源来外扩SRAM芯片。下面介绍一款可替换于IS61WV12816FALL的EMI国产外扩SRAM芯片
EMI502NL16LM。
英尚微电子
EMI代理推荐一款EMI502NL16LM产品,该系列由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。位宽为128Kx 16的2Mbit的SRAM芯片,电源电压范围为2.3V〜3.6V,具备三态输出和TTL兼容,低数据保持电压:1.5V(最小值),这些系列支持工业温度范围和芯片规模封装,以使用户灵活地进行系统设计。 该系列还支持低数据保持电压,以低数据保持电流实现电池备份操作。封装采用标准44TSOP2,48BGA。
关于EMI
EMI公司是一家专注存储SRAM/PSRAM芯片、显示驱动,接口转换芯片设计、生产及销售的坞无晶圆半导体公司。公司拥有国际知名设 计专家及工作经验丰富工程师研发团队,与国内知名前后道生产合作伙伴紧密合作。为行业客户提供高品质、低成本,供货持续稳定的自主知识产权的集成电路产品,产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。
本文关键词:EMI502NL16LM 外扩sram
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