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FM25V20A-DGQTR功能介绍
FM25V20A-DGQTR是采用先进铁电工艺的2Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了121年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。
 
与串行闪存和EEPROM不同，FM25V20A-DGQTR以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后，立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显着的写入耐久性。FM25V20A-DGQTR能够支持1014个读/写周期，或比EEPROM多1000万倍的写周期。
 
这些功能使FM25V20A-DGQTR非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，例如数据收集（可能是关键的写入周期数）到要求严格的工业控制，而串行闪存或EEPROM的长时间写入会导致数据丢失。
 
FM25V20A-DGQTR为串行EEPROM或闪存的用户提供了可观的好处，可作为硬件的替代产品。FM25V20A-DGQTR使用高速SPI总线，从而增强了FRAM技术的高速写入能力。该设备包含一个只读的设备ID，该ID允许主机确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至+105℃的扩展温度范围内保证器件的规格。
 
特征
■逻辑组织为256K×8的2Mbit铁电随机存取存储器（FRAM）
•高耐用性10万亿（1014）读/写
•121年的数据保留
•NoDelay™写道
•先进的高可靠性铁电工艺
■极快的SPI
•高达33MHz的频率
•直接更换串行闪存和EEPROM的硬件
•支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
■复杂的写保护方案
•使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
•使用禁止写入指令进行软件保护
•适用于1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
■设备ID
•制造商ID和产品ID
■低功耗
•在33MHz时有3.0mA有功电流
•400µA待机电流
•12µA睡眠模式电流
■低压操作：VDD=2.0V至3.6V
■扩展温度：–40℃至+105℃
■8引脚薄型双扁平无引线（DFN）封装
■符合有害物质限制（RoHS）


本文关键词：串行FRAM  FM25V20A-DGQTR  

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