低功耗SRAM存储器应用于内有电池供电对功耗非常敏感的产品，是静态随机访问存储器的一种类别，静态随机访问存储器（SRAM）作为最重要的半导体存储器，广泛地嵌入于高性能微处理器。随着集成电路制造工艺的不断提升，存储器占据芯片的功耗比例越来越大，高速低功耗的SRAM设计变得越来越重要。下面EMI代理英尚微介绍一款EMI504NL16LM-55IT国产低功耗SRAM兼容IS61WV25616EFBLL-10B3LI的存储芯片。
 
描述
国产SRAM芯片EMII型号EMI504NL16LM-55IT采用EMI先进的全CMOS工艺技术制造。支持低数据保持电压，以实现电池备份操作和低数据保持电流。还支持工业温度范围和芯片级封装，以使用户灵活地进行系统设计。其电压范围在2.7V〜3.6V，封装采用标准48FBGA。
 
特征
•制程技术：90nm Full CMOS
•位宽：256K x 16位
•电源电压：2.7V〜3.6V
•低数据保持电压：1.5V（最小值）
•三态输出和TTL兼容
•标准48FBGA
•工业操作温度
 
封装引脚配置

 

关于EMI
EMI是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注于利基市场专用芯片、小型SOC芯片、SRAM存储芯片及千兆/万兆USB网口芯片以及音视频接口芯片的整体解决方案。提供创新、高品质、高性价比、 供货持续稳定的芯片，并通过提供软硬件Turnkey solution，降低客户研发难度，缩短客户量产时程。产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。


本文关键词：国产低功耗SRAM    EMI504NL16LM-55IT

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