ISSI公司主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM存储芯片。还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。主要是应用在汽车、通信、数字消费以及工业和医疗市场的设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者。
 
ISSI型号IS62WV1288DALL是1M高速SRAM存储芯片，位宽128X8。使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能和低功耗的器件。通过使用芯片使能和输出使能输入提供轻松的内存扩展。有效的低写入使能(WE)控制存储器的写入和读取。IS62WV1288DALL采用封装在JEDEC标准32-pinTSOP（TYPEI）、sTSOP（TYPEI）、SOP和36-pinminiBGA中。ISSI代理英尚微电子支持供样及相关技术。
 
IS62WV1288DALL特征
•高速存取时间：55ns
•CMOS低功耗操作：
12mW（典型）运行
4µW（典型）CMOS待机
•TTL兼容接口电平
•单电源：
1.65V--2.2VVDD(62WV1288DALL)
•完全静态操作：无需时钟或刷新
•三态输出
•工业和汽车温度支持
•无铅可用
 
低功耗SRAM通常在45ns和更慢的速度范围内运行。这些SRAM通常设计为消耗非常低的功率，并且用于主要关注功率的应用中。它们通常用于临时数据存储和便笺簿应用程序。


本文关键词：低功耗SRAM,IS62WV1288DALL

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