新唐N76E003AT20现货替换料003F4P6

2021-09-30 10:29:15

该芯片使用增强型51内核,工作频率高达64兆赫兹,内置16K Bytes FLASH,1K Bytes SRAM,3个定时器,1个看门狗,1个SPI,1个I2C,2个UART,1个12Bit ,8通道ADC,1个10Bit DAC,2个模拟比较器。供电电压为2.7V至4.25V,工作温度-40℃至+85℃,支持4种工作模式,DPD模式功耗可低至0.5uA,提供TSSOP20封装,其内建高速SPI模块,高速I2C模块,用于低成本高性能的通信处理场合。英尚微电子可提供样品测试及必要的FAE技术支持。
 
003F4P6是针对高速IO应用的8位单片机宽电压,其内建高速SPI模块,高速I2C模块,用于低成本高性能的通信处理场合。内核采用集成增强型CPU模块,该CPU为单周期8位微控制器。它是一个全功能嵌入式微控制器,兼容所有ASM51指令和80C31指令;该结构的微控制器简化了总线状态,实现取指和执行同步进行;同时51实现了一个时钟周期就是一个机器周期的设计,相比传统的51每一个机器周期包含12个时钟周期,整体性能上大约有8倍的提升。
 
•高性能8Bit 内核
-8 Bit 1T增强型51内核,指令代码兼容标准51
-工作频率最高64MHz
-外设模块时钟为单独门控时钟,用户可以选择性关闭模块时钟以降低动态功耗;同时每个功能模块可以单独在ROM配置使能信号
-支持共13个中断发生源,4级中断优先级控制
•存储器
-片上集成256 Bytes SRAM作为内部数据存储区
-片上集成1KBytes XSRAM作为扩展数据存储区,同时也可以作为程序运行。
-片上集成最大16K Bytes FLASH作为程序存储区
-片上集成 2K Bytes NVR(非易失性寄存器)
-片上集成 2K Bytes ROM,作为芯片的Boot Loader和自检测(启动引导区)

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