世界上最早的全电子化存储器是1947年诞生的，其原理是用阴极射线管在屏幕表面上留下记录数据的“点”。从那时起，计算机内存开始使用磁存储技术并经历了数代演变，相关系统包括磁鼓存储器、磁芯存储器、磁带驱动器和磁泡存储器。从1970年代开始，主流的集成半导体存储器则主要分为三类：动态随机存取存储器 (DRAM)、静态随机存取存储器 (SRAM) 和闪存。
 
计算机内存主要是DRAM和SRAM。SRAM则具有最快的片上缓存。已经历了数十年的发展。SRAM不需要周期性刷新就能锁存“0”和“1”信号，影响其发展的主要因素则是单元面积和读取速度。
 
MCU通常是基于SRAM和闪存的混合使用，MCU一般情况下配置有1~2MB双块Flash存储器和256KB SRAM，在某些应用设计中会出现内置RAM不足的情况，需要对STM32单片机进行外扩RAM的处理，可以选择更换更高RAM容量的单片机，除了价格贵还需要涉及其他被动器件的更改，STM32系列可以通过FMSC接口外扩并口SRAM，比如采用国产SRAM芯片EMI7064.
 
我司英尚微介绍以下SRAM芯片作为外扩的考虑
 
1.串口SRAM芯片：这种封装是SOP-8的串口SRAM芯片，一般推荐用EMI7064这一款，容量可以达到64Mbit,占用占用单片机的I/O脚位比较少，较多的应用在各类产品中，性价比比较高的一款SRAM芯片产品。
 
2.并口SRAM芯片：一般并口SRAM芯片占用单片机的I/O脚位比较多，可能在应用设计中需要读取速度较快的可以考虑用这种，数据读取速度可以达到8NS，因为是属于六个晶体管的设计，在价格上比较贵，适合用于以下大型工控类产品，服务器，金融医疗等产品。
 
3. 伪静态SRAM芯片（也称PSRAM）：这款封装一般是BGA的，容量同样可以达到64Mbit,速度一般在70ns左右，价格相对比并口SRAM芯片要便宜。
 
总体来看，一般看应用设计对外扩SRAM芯片的数据读取速度要求多少，容量以及性价比来选择SRAM芯片。

Part Number	Vcc Range	MHz (max)	Density	Temp. Ranges	Package
EMI7064LSME	1.6V~2.0V	20	64Mb	-25°C~+85°C	8pin SOIC
EMI7064MSMI	2.7V~3.3V	20	64Mb	-40°C~+85°C	8pin SOIC
EMI7064MSME	2.7V~3.3V	20	64Mb	-25°C~+85°C	8pin SOIC
EMI7064LSMI	1.6V~2.0V	20	64Mb	-40°C~+85°C	8pin SOIC

本文关键词：MCU,外扩SRAM,SRAM,EMI7064

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