五年前中国大陆的半导体器件销售额为130亿美元，仅占全球芯片销售额的3.8%。中国大陆半导体行业在2020年实现了前所未有的30.6%的年增长率，年总销售额达到398亿美元。 这一增长帮助中国大陆地区在2020年占据全球半导体市场9%的份额，连续两年超过中国台湾地区，紧随日本和欧盟(EU)之后，这两个国家的市场份额分别为10%。
 
构建其半导体制造供应链方面，中国大陆也保持强劲增长速度，2021年宣布新增28个晶圆厂建设项目，新投资计划总额约260亿美元。
 
芯片制造方面，随着华为、中芯国际等被列入美国政府的实体清单，中国大陆半导体产业在先进逻辑节点制造的开发变得迟缓，并将大部分资金转向成熟工艺制造技术。由于这一变化，从2020年9月到2021年11月，由于这一变化，从2020年9月至2021年11月，中国晶圆制造商在落后节点(>=14nm)每月增加近50万晶圆(WPM)产能，而在先进节点仅增加10K产能。仅中国大陆的晶圆产能增长就占全球总量的26%。
 
中国大陆2021年19nm DDR4移动DRAM、64层3D NAND FLASH芯片开始商用，128层产品也启动生产。尽管中国大陆存储行业仍处于发展的早期阶段，但预计中国大陆企业将在未来五年内具备高度竞争力，并将实现40-50%的年复合增长率。
 
后端生产方面，中国在外包组装、封装和测试（OSAT）方面处于全球领先地位，其三大OSAT厂商合计占据全球35%以上的市场份额。
 
这些迹象表明，中国大陆半导体芯片销售的快速增长很可能会持续，这在很大程度上得益于中国中央政府坚定不移的承诺以及面对中美竞争强有力政策支持。尽管中国大陆要赶上现有的行业领先者还有很长的路要走——尤其是在先进节点代工生产、设备和材料方面——但预计未来十年差距将缩小。

本文关键词：DRAM,Nand Flash

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