MR0D08BMA45R是一款双电源1Mbit的磁阻随机存取存储器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O电压。提供SRAM兼容的45ns读/写时序，具有无限的耐用性。数据在超过20年的时间里始终是非易失性的。数据通过低压抑制电路在断电时自动保护，以防止电压超出规格的写入。MR0D08BMA45R是必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用的理想内存解决方案。
 
MR0D08BMA45R采用小尺寸8mmx8mm、48引脚球栅阵列(BGA)封装，在广泛的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供商业温度（0至+70℃）。此款MRAM存储器可取代系统中的FLASH、SRAM、EEPROM和BBSRAM，实现更简单、更高效的设计。通过更换电池供电的SRAM提高可靠性。
 
特征
+3.3伏电源
•I/O电压范围支持+1.65至+3.6伏宽接口
•45ns的快速读/写周期
•SRAM兼容时序
•无限读写耐力
•数据在温度下超过20年始终非易失性
•符合RoHS的小尺寸BGA封装
 
Everspin Technologies, Inc是设计制造和商业化分立和MRAM和STT-MRAM进入数据持久性和应用程序的市场和应用领域的翘楚。完整性、低延迟和安全性至关重要。Everspin非易失性存储MRAM在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和交通运输市场，建立了世界上最强大和增长最快的 MRAM 用户基础。  


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