Everspin科技有限公司是全球领先的设计, 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋转移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生产商，自从Everspin第一款产品进入市场，由于MRAM可以保持数据持久性和完整性、低功耗等特性，在应用程序设计中起到了安全性至关重要的作用，应用在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场等, Everspin 科技公司为世界上 MRAM 用户建立了最强大、最迅速的基础。
 
MR25H40CDF是Everspin 旗下一款容量为4Mb的磁阻随机存取存储器 (MRAM)。位宽512K x 8。MR25H40CDF拥有35ns的读/写周期（无写入延迟），以及出色的耐读/写能力。数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护，以防止在非工作电压期间写入。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用，是理想的内存解决方案。
 
MR25H40CDF具有串行EEPROM 和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟和无限的读/写耐久性。与其他串行存储器不同，MR25H40CDF系列的读取和写入都可以在内存中随机发生，写入之间没有延迟。
 
MR25H40CDF系列可在广泛的温度范围内提供高度可靠的数据存储。MR25H40 (40MHz) 提供工业级（-40℃至 +85℃）、扩展级（-40 至 105℃）和 AEC-Q100 1 级（-40℃ 至 +125℃）工作温度范围选项。采用 5 x 6mm、8引脚DFN封装。引脚排列与串行 SRAM、EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。用MRAM替代电池供电的SRAM解决方案，并消除了组装电池以及可靠性问题和不利因素。everspin代理英尚微电子支持提供样品测试及技术支持。
 
MR25H40系列

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ / Tray	MOQ / T&R
4Mb	512Kx8	MR25H40CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDFR	8-DFN sf	3.3v	Extended	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDF	8-DFN sf	3.3v	Extended	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	1140	4000

 

本文关键词： Everspin,MR25H40CDF,MRAM

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