ISSI主要产品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。为汽车、通信、数字消费、以及工业和医疗等主要市场设计开发和销售高性能集成电路的技术翘楚。
 
IS61WV51216 SRAM芯片是一个8M容量，组织结构为512K*16的高速率低功耗静态随机存储器。IS62WV51216高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准再加创新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。使用IS62WV51216的片选引脚和输出使能引脚，可以简单实现存储器扩展。
 
这种高度可靠的工艺与包括ECC（SEC-DED：单纠错-双纠错）在内的创新电路设计技术相结合，可产生高性能和高度可靠的设备。通过使用芯片使能和输出使能输入提供轻松的内存扩展。有效的低写入使能(WE#)控制存储器的写入和读取。采用标准44引脚TSOP(TYPEII)封装。

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