富士通半导体存储器解决方案在继续为需要频繁数据重写的客户设备寻求更大密度的 FRAM产品的同时，一直在开发新的非易失性存储器以满足频繁数据读取的要求，从而引入了这种新的 12Mbit ReRAM产品。富士通半导体内存解决方案不断开发各种低功耗内存产品以满足客户的需求。
 
MB85AS12MT是一款具有 12Mbit 存储密度的非易失性存储器，可在 1.6V 至 3.6V 的宽电源电压范围内工作。新的 ReRAM 产品的内存密度是现有 8Mbit ReRAM 的 1.5 倍，同时保持相同的封装尺寸 WL-CSP（晶圆级芯片尺寸封装）和相同的引脚分配。
 

型号	MB85AS12MT
密度（配置）	12Mbit (1.5M x 8bit)
界面	SPI接口
工作电压	1.6V 至 3.6V
工作温度范围	-40°C 至 +85°C
阅读耐力	无限
写耐力	500,000 次
封装	11pin WL-CSP
低功耗	读取电流：0.15mA (Ave.) at 5MHz operation 读取电流：1.0mA (Max.) at 10MHz operation 写入电流：2.5mA (Max.) at 10MHz operation 休眠电流：8μA (Max.)

 
ReRAM电阻式随机存取存储器是一种非易失性存储器，其中将脉冲电压施加到薄金属氧化物膜上，从而在记录1和0的电阻上产生巨大的变化。其电极间采用金属氧化物的简单结构，制造工艺非常简单，同时仍具有低功耗、写入速度快等优良特性。ReRAM 产品可以解决在可穿戴设备开发中使用闪存或EEPROM 所产生的以下问题。
 
ReRAM电阻式随机存取存储器是一种非易失性存储器，其中将脉冲电压施加到薄金属氧化物膜上，从而在记录1和0的电阻上产生巨大的变化。其电极间采用金属氧化物的简单结构，制造工艺非常简单，同时仍具有低功耗、写入速度快等优良特性。富士通ReRAM 产品可以解决在可穿戴设备开发中使用闪存或EEPROM 所产生的以下问题。
 
案例1
问题：8Mbit ReRAM 的内存密度不足
解决方案：使用与 8Mbit 产品具有相同引脚分配的 12Mbit ReRAM。
好处：提高最终产品的性能
 
案例2
问题：由于安装面积的限制，需要保持较小的封装尺寸
解决方案：在非常小的封装中使用 12Mbit ReRAM。
好处：在提高性能的同时保持小尺寸
 
案例3
问题：传统非易失性存储器难以降低功耗
解决方案：使用读取电流非常小的 ReRAM。
好处：延长最终产品的电池寿命（减少电池更换次数）