随机存储RAM技术是指具有与易失性RAM相同的随机访问特性的存储技术。MRAM和FRAM可以说是这一类别中最突出的成员。这些技术具有极高的读/写速度。与闪存不同，MRAM和FRAM技术不需要电荷泵进行写入。它转化为读取和写入操作之间的较低且接近对称的能量消耗。
 
但是，它们的容量范围不超过几兆位，并且对于大多数应用程序来说，它们的每字节成本高得令人望而却步。此外，尽管原始访问速度超过50MByte/s，但随着其他瓶颈（数据生产速度有限、处理能力有限、文件系统开销）的暴露，净性能实际上仍会低得多。
 
总体而言，随机存储ram技术最适合以绝对性能为关键的利基设计。相比之下，SLC NAND（以及QSPI NAND）对于通用应用来说是一种更加平衡的解决方案。

本文关键词：RAM,MRAM,FRAM

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