串行SRAM器件是独立的易失性存储器解决方案，可以帮助创建更紧凑的设计，同时为当前的MCU添加功能。高性能SRAM器件具有无限的耐用性和零写入时间，非常适合涉及连续数据传输、缓冲、数据记录、音频、视频和其他数学和数据密集型功能的应用。支持串行外设接口(SPI)、串行双I/O接口(SDI)和串行四I/O™(SQI™)总线模式。
 
串行SRAM的主要优点
•高速串行接口架构
•1、2和4位SPI协议
•与传统并行SRAM接口相比，低引脚数接口
•无需昂贵的微控制器升级的低成本RAM扩展
•低功耗
 
SRAM不需要像 DRAM 那样的周期刷新，因此可以提供更好的性能。DRAM单元由存取晶体管和电容器组成。数据作为电荷存储在电容器中，但电荷会随着时间的推移而泄漏。DRAM 必须定期刷新以保存存储的数据。刷新会对 DRAM 性能和功耗产生负面影响。因此SRAM 通常也比 DRAM 更快且功耗更低。
 
存储器在高速性能并非最重要因素的其它存储器（DRAM、闪存等）中，串行接口已经取代了并行接口。由于存在需要SRAM的应用，串行SRAM在SRAM市场中一直处于小众地位。在空间非常有限的特定应用中，它们一直是低功耗、小尺寸替代方案。


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