三星半导体通过结构创新，实现了基于MRAM的存储内运算，进一步拓展了三星下世代低功耗AI芯片技术。
 
传统的运算体系中，存储中的数据要转移到处理芯片的数据运算单元进行处理，因此其对于频宽、延迟的要求非常高。
 
至于存储内运算则是一种新的运算模式，也可以当作存储与运算一体化的表现，也就是说，在存储中同时执行数据储存、数据运算处理，无需移动数据。同时在存储网路中的数据处理是以高度平行的方式执行，因此提高性能的同时，还能大大降低功耗。
 
如果与其他存储比较，MRAM在运行速度、寿命、量产方面都有明显优势，功耗也远低于传统DRAM，关键是还具有非挥发的特点，断电也不会丢失数据。
 
可是MRAM也有其缺点，因为很难用于存储内运算，使得在标准的存储内运算架构中无法发挥低功耗优势。为了克服这一点，三星研究团队设计了一种名为“电阻总和”的新型存储内运算架构，取代“电流总和”架构，进而成功开发了一种能演示存储内运算架构的MRAM阵列芯片，命名为“用于存储内运算的磁阻式存储交叉阵列”。
 
目前来看，这一交叉阵列成功解决了单个MRAM小电阻问题，从而降低功耗，实现了基于MRAM的存储内运算。按照三星研究，在执行AI运算时，采用MRAM存储内运算可以实现98%的笔迹辨识成功率、以及93%的人脸辨识准确率。
 
全球MRAM市场2021年至2026年的年复合成长率将达25%，并于2026年达到62亿美元的规模。该市场的主要驱动力是对穿戴式装置的需求增加、物联网设备的高度采用、运算技术的进步、对更高存储空间的需求以及缩短启动时间等因素。除了三星之外，Avalanche、CROCUS、Honeywell以及Everspin都是主要MRAM制造商。

Everspin Technologies是一家开发和制造磁性RAM或磁阻随机存取存储器（MRAM）的公共半导体公司，其中包括独立和嵌入式MRAM产品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）。Everspin Technologies提供Toggle MRAM，自旋转矩MRAM，嵌入式MRAM，磁性传感器以及航空和卫星电子系统，公司产品应用于工业，汽车，运输和企业存储市场。
 
 
本文关键词： MRAM,Everspin

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