MCU内部存储器的总数取决于存储器的分类。主要有两种存储器：随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）。但是，根据内存性能的不同，RAM和ROM有不同的类型。这些不同类型的内存适用于各种功能，如高速缓存、主内存、程序内存等。另一方面，存在内存虚拟和物理定义问题。
 
RAM两种主要类型是静态随机存取存储器(SRAM)动态随机存储器(DRAM)。两者都必须施加电压来存储其信息。DRAM很简单，基本实现只需要一个晶体管和一个电容器。DRAM它是所有内存技术中最常用的一种。当集成到MCU它被称为嵌入式DRAM(eDRAM)。与外部存储器的等效分离DRAM芯片相比，eDRAM每比特的成本更高。即便如此，也会将eDRAM放置于与Cpu同样的芯片特性优势仍然超过了高性能应用的成本劣势。
 
SRAM比eDRAM复杂，一般由六个晶体管完成。SRAM比DRAM速度快，所以特别适合集成到MCU中间。这是最常用的内部MCU内存技术之一。SRAM通常用作高速缓存和Cpu存储器。
 
MCU非易失性存储器包括闪存和电可擦可编程ROM(EEPROM)。闪存是EEPROM一种形式。管理模式是两者之间的重要区别；Flash管理(写入或或擦除)，EEPROM可以管理字节级别。闪存适用于NAND和NOR架构。NAND闪存以块为基准处理数据，读取速度快于写入速度。它可以快速传输多页数据。它提供比NOR更高的高密度的单位面积容积。NOR Flash适用于更细粒度的操作，并提供高速随机访问。NOR Flash能够读写特定信息。
 
易失性和非易失性存储技术可根据几个特点进行比较：
速率：易失性内存更快速
成本：易失性内存成本较低
使用寿命：易失性存储器的使用寿命较长。由于其重写能力，非易失性存储器的使用寿命有限。
能耗：DRAM易失性存储器必须重复数据更新，这将消耗额外的功率。非易失性存储器通常消耗较少的功率。

本文关键词：SRAM,MCU

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