先进的逻辑技术已经超过14个nm，迁移到Fin-FET结构，在过去十年或更长时间内用作嵌入式NOR闪存已经失去了跟上这些过程的能力。这种情况被称为闪存”缩放限定”，不管芯片其余的CMOS能缩小多少。闪存都无法跟上脚步，必须有新的嵌入式存储技术来结合这些先进技术ASIC和MCU。
 
内嵌式NOR闪存并不是唯一受到工艺演化影响的。SRAM面临类似的问题。随着工艺缩小到几十纳米或更小，SRAM存储单元的大小无法跟上。NOR闪存不同，SRAM存在的问题是，存储单元的尺寸不会与工艺成比例地缩小。当工艺减少50%时，可能只会减少25%。
 
这个限缩了嵌入式NOR和嵌入式 SRAM，我们应该继续按步骤缩小新存储单元技术的发展。幸运的是，这些技术已经存在并开发了多年。
 
另一个问题是，将存储技术转化为新的存储技术带来了强有力的论据，即存储器消耗了太多的电力。(IoT)当移动设备使用电池电源运行时，必须仔细选择其存储器，因为它消耗大部分电池电源，减少电池使用时间，而新的嵌入式存储技术可以降低功耗，满足这一要求。
 
下一代的移动架构也需要更高的计算水平的人工智能和边缘计算，而较低的功耗需要满足客户的期望，并在严峻的市场竞争中获胜。当然，这些必须以低成本完成，这是对当前内存技术的测试。目前大多数电池电源移动设备和其他应用程序MCU均采用CMOS工艺制造，CMOS这个过程适用于两种内存技术：NOR闪存和SRAM。尽管这些技术在CMOS在逻辑过程中很容易放置，但它们消耗的功率通常超出预期。
 
当需要更多的内存时，设计师通常会添加外部内存芯片，例如SPI NOR闪存，NAND闪存，DRAM或者是这些内存的搭配。然而，这些外部内存对功耗的影响更大。
 
本文关键词：SRAM,NOR闪存,DRAM

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