NETSOL自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）。数据始终是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于简化系统设计。由于STT-MRAM的非易失性和几乎无限的耐久性特性，它适用于工业设计中的代码存储、数据记录、备份存储器和工作存储器。
 
    Parallel STT-MRAM的容量范围从1Mbit到16Mbit。是一个具有并行异步接口的完全随机存取存储器。支持x16或x8I/O模式。x16I/O模式允许通过数据字节控制（LB、UB）进行低位和高位字节访问。
 
    它支持异步页面模式功能，以提高读写性能。x16 I/O模式和x8 I/O模式的页面大小分别为4个字和8个字。该设备提供工业（-40℃至85℃）工作温度范围。官方代理英尚微支持提供样品测试。
 
    核心特征
    容量:1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb,64Mb
    电源供应：1.8V（1.7V～1.95V）或3.3V（2.7V～3.6V）
    Parallel异步接口x16/x8I/O
    数据保存期：10年
    读取耐力：无限
    擦写耐力:10¹⁴
    无需外部ECC
    封装：48FBGA、44TSOP2、54TSOP2


半导体Netsol代理1Mb~16Mb非易失性Parallel STT-MRAM选型表：https://www.sramsun.com/list-831-1.html

Density	Part Number	Organization	VDD(V)	Access Time(ns)	Temperature	Package
1Mbit	S3R1016V1M	64Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
1Mbit	S3R1008V1M	128Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
1Mbit	S3R1016R1M	64Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
1Mbit	S3R1008R1M	128Kx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
2Mbit	S3R2016V1M	128Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
2Mbit	S3R2008V1M	256Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
2Mbit	S3R2016R1M	128Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
2Mbit	S3R2008R1M	256Kx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
4Mbit	S3R4016V1M	256Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
4Mbit	S3R4008V1M	256Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
4Mbit	S3R4016R1M	256Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
4Mbit	S3R4008R1M	256Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
8Mbit	S3R8016V1M	512Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
8Mbit	S3R8008V1M	512Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
8Mbit	S3R8016R1M	256Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
8Mbit	S3R8008R1M	256Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
16Mbit	S3R1616V1M	1Mx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
16Mbit	S3R1608V1M	2Mx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
16Mbit	S3R1616V1M	1Mx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
16Mbit	S3R1608R1M	2Mx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA

本文关键词：STT-MRAM,MRAM,Netsol代理

相关文章：Netsol MRAM非易失存储芯片是数据记录应用的优选

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。