随着万物智联时代的到来，智能汽车等新兴应用场景对存储提出了更高的性能要求。MB85RS2MLY可用于需要实时数据记录的ADAS等应用的FRAM存储芯片。
 
  MB85RS2MLY在-40℃至+125℃的温度范围内保证10万亿次读/写循环次数。此特性对于某些需要实时数据记录的应用程序是最佳的。例如，如果连续10年每天每0.1秒记录一次数据，则写入次数超过30亿次。可靠性测试符合AEC-Q1001级，从数据写入耐久性和可靠性的角度来看，MB85RS2MLY保证可用于需要实时数据记录的ADAS等应用。采用行业标准的8引脚SOP封装，可以轻松替换具有类似封装的现有EEPROM。此外，还提供尺寸为5.0x6.0x0.9mm的8引脚DFN（双扁平无引线）封装。
 
  FeRAM是一种非易失性存储器产品，与EEPROM和闪存相比，具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。FeRAM已被对传统非易失性存储器的规格不满意的客户所采用。


本文关键词：FRAM

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