MRAM是一种基于所有磁性记录物理原理的技术，截至目前，Everspin公司是该技术的行业翘楚。
 
    MRAM的种类非常丰富，但它们的结构都非常相似，都使用钴和镁层作为巨磁阻（GMR）传感器和磁开关元件的组合，它们也被大量用于硬盘读/写磁头，其主要优势在于速度，不少人设想过MRAM将来能够取代高速SRAM。
 
    MRAM已经分为多种类型和路线：STT-MRAM有效地解决了SRAM存储器在不活动时“泄漏”能量的问题；SOT-MRAM显著提高了器件的耐用性和读取稳定性，消除了STT-MRAM器件中固有的开关延迟；VCMA-MRAM进一步降低了STT-MRAM的功耗，但写入速度相对较慢；VG-SOT则综合了前两者的优点，但制造工序较为复杂，功能有待验证；(VG-)SOTMRAM在模拟内存计算方面具备更大潜力……
 
    多年来，不同类型的MRAM存储器件不断涌现，在写入速度、可靠性、功耗和面积消耗之间进行权衡，根据具体特性有完全不同的应用，例如用于嵌入式闪存和末级缓存的STT-MRAM、用于较低级缓存的SOT-MRAM、用于超低功耗应用的VCMA-MRAM，最后是VG-MRAM，VG-SOTMRAM作为终极统一高速缓存，还具有内存计算的优势。
 
    在MRAM中，数据通常存储在磁性可以改变的"自由"层中，并与生产时设置的"固定"层进行比较，而GMR传感器负责检测两者之间的差异。大多数MRAM变体的最大区别在于数据的写入方式。所有MRAM的每个位单元都至少使用一个晶体管，而许多MRAM则使用两个晶体管，且电流相当大，这也让该技术的生产成本效益低于其他技术。
 
    MRAM具有SRAM兼容的读/写周期，因此特别适合于那些必须以最小延迟存储和检索数据的应用程序，它成功把低延迟、低功耗、无限持久性、可伸缩性和非易变性结合到了一起。


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