Everspin制造的MRAM和STT-MRAM的在市场和应用中的数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要。在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场的应用广泛。
 
    我司英尚微提供的Everspin型号MR25H10是一款1Mb容量的MRAM非易失性存储器，由131，072个8位字组成。提供串行EEPROM和串行Flash兼容读/写时序，无写延迟和无限读/写耐久性。与其他串行存储器不同，读取和写入可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用，是理想的内存解决方案。

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ / T&R
4Mb	512Kx8	MR25H40CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDF	8-DFN sf	3.3v	Extended	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDFR	8-DFN sf	3.3v	Extended	4000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	4,000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDFR	8-DFN sf	3.3V	Industrial	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDC	8-DFN	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDCR	8-DFN	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	4000

 

本文关键词：MRAM,MR25H10

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