存储器粗略的可以分为

1. 非挥发性存储器，如NAND、NOR Flash，数据在掉电后不会丢失。这类存储器通常速度比较慢，可以做资料和大数据存储。

2. 挥发性存储器，如DRAM、SRAM。它们通常速度较快，但数据在掉电后会丢失，通常被用作程序存储器、数据缓存(buffer)。

3. 新一代的存储器：如ReRAM, MRAM, FRAM等，他们的特点是结合了上述两种存储器的优点：运行速度快，掉电不丢失。目前，他们的一些局限在于容量还不能做得很大，所以还无法实现DRAM或NAND能实现的容量密度；或者再单位bit的成本，还无法与传统存储器竞争。

4. PSRAM：pseudo SRAM，伪SRAM。它具有类SRAM的接口协议：给出地址、读、写命令，就可以实现存取，不像DRAM需要memory controller来控制内存单元定期数据刷新，因此结口简单；但它的内核是DRAM架构：1T1C一个晶体管一个电容构成存储cell，而传统SRAM需要6T即六个晶体管构成一个存储cell。由此结合，他可以实现类SRAM的接口有可实现较大的存储容量。

新的串行pSRAM能有效改善传统随机存取记忆体的问题，并具有以下优点：

1. 更大的带宽：串行PSRAM以八路串行接口之规格，在200MHz Double-data-rate的速率，其数据带宽大于3Gbps。

2. 更高的容量：串行PSRAM容量为64M，比其他现行市面上的串行接口随机存取记忆体的记忆容量大很多。

3. 更低的成本：串行PSRAM採用先进的DRAM技术，有效地压缩芯片体积，故串行PSRAM生产成本接近DRAM成本。

4. 更小的尺寸：串行PSRAM的低引脚数封装与传统随机存取记忆体(RAM)相较之下，更具尺寸小、成本低等优势。

5. 应用介面简单：因为新型的设计技术，串行PSRAM不需要更新週期(Refresh Cycle)，与DRAM需要更新不同，故串行PSRAM介面较传统随机存取记忆体(RAM)更为简单。

串行PSRAM型号参考：

Density	Part Number	Vcc(V)	Speed(MHz)	Bus Modes	Temp.	Package
64Mbit	RS6404LSQL	1.8	20	SPI,QPI	-25℃ to 85℃	8-SOIC
64Mbit	IPS6404LSQ	3	20	SPI,QPI	-25℃ to 85℃	8-SOIC
64Mbit	RS6404LSQ	3	20	SPI,QPI	-25℃ to 85℃	8-SOIC
64Mbit	IPS6404LSQL	1.8	20	SPI,QPI	-25℃ to 85℃	8-SOIC
32Mbit	RS3204JSQI T	1.8	20	SPI,QPI	-40℃ to 85℃	8-SOIC
32Mbit	IPS3204JSQ	1.8	20	SPI,QPI	0℃ to 85℃	8-SOIC
32Mbit	RS3204JSQT	1.8	20	SPI,QPI	-25℃ to 85℃	8-SOIC
32Mbit	RS3204JSQCT	1.8	20	SPI,QPI	0℃ to 85℃	8-SOIC
32Mbit	RS3204JSQI	1.8	20	SPI,QPI	-40℃ to 85℃	8-SOIC
32Mbit	RS3204JSQ	1.8	20	SPI,QPI	-25℃ to 85℃	8-SOIC
32Mbit	RS3204JSQC	1.8	20	SPI,QPI	0℃ to 85℃	8-SOIC

关键字：串行PSRAM
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