MRAM制造商Everspin希望能将256Mbit DDR3 ST-MRAM器件以及即将推出的1Gbit ST-MRAM集成到Xilinx UltraScale FPGA板卡上。本月初推出一个适用于Vivado MIG（存储器接口发生器）的全新软件脚本，使MIG DDR3控制器能完美适配ST-MRAM的时序以及控制要求。Everspin已有十年基于MRAM开发产品的经验，根据Dylan McGrath在EETimes.com发布的文章，Everspin目前仍然是唯一经营商业MRAM器件的公司。
 

非易失性MRAM不同于闪存，它没有损坏故障。这种特性使得MRAM在诸如服务器级企业存储等应用中比闪存具有巨大的优势。基于MRAM的存储卡不易耗损，并且它的读/写性能不会随着时间而降级，该功能远优于基于闪存的SSDs。
 
基于UltraScale FPGA板卡的NVMe存储加速卡：
 前段时间，Everspin发布了nvNITRO系列的NVMe存储加速卡。加速卡上集成了1Gbyte nvNITRO ES1GB和2Gbyte nvNITRO ES2GB，可提供1,500,000 IOPS，6μ秒的端到端延迟。当Everspin的1Gbit ST-MRAM板卡在去年年末上市时，板卡容量已经能增长到4到16G字节。(图1：Everspin nvNITRO 存储加速器)
 
去年在盐湖城举办的SC16会议的展览中曾经展示过该板卡。 （参见“Everspin的NVMe存储加速器（基于MRAM和UltraScale FPGA），提供1.5M IOPS。”）
 
Everspin nvNITRO 存储加速器的硬件平台是Alpha Data ADM-PCIE-KU3 PCIe加速卡，集成1或2Gbyte Everspin ST-MRAM DIMM。Everspin已经在基于Kintex UltraScale KU060 FPGA的Alpha数据卡中添加了自己的IP，并设计了基于MRAM的NVMe控制器。
 
Alpha Data公司的设计人员在设计ADM-PCIE-KU3 PCIe加速卡时，并没有设计基于MRAM的存储加速器，但是他们使用先进的Xilinx UltraScale FPGA实现了他们的设计，使得该设计具有了灵活的可编程性。Everspin通过利用这种内置的灵活性，发布了一个全新独特的基于Xilinx UltraScale FPGA以及RAM的NVMe存储产品。
 
总结：
 本次，Everspin公司将Xilinx UltraScale FPGA和MRAM结合，发布了全新的具有高灵活性、低损耗等多种优势的产品，又一次刷新了设计者的认知。将赛灵思FPGA与各类性能极佳的器件结合组成全新高性能的产品，又成为了设计者的一个方向。相信电子时代的发展会有越来越多的卓越产品涌现，让我们拭目以待。

关键字：everspin

上一篇：英尚微电子提供EVERSPIN MRAM裸片everspin's die

---

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、ST-MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。     
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。