观察三大厂目前的进度，合肥长鑫的厂房在去年第三季开始移入测试用机台，目前进度与晋华集成差不多，将会在今年第三季进行试产，量产则暂定在2019年的上半年，时程较预期要落后一点。由于合肥长鑫直攻三大DRAM厂最重要产品之一的LPDDR4 8Gb，随后面临专利争议的可能性也较高，所以为了避免发生这种状况，除了积极取得专利权外，合肥长鑫初期可能将目标市场定于国内。

 

至于专注于利基型记忆的晋华集成，在2016年7月宣布在福建省晋江市建12英寸厂，投资金额约53亿美元，其中利基型内存的试产延后至今年第三季度，量产时间也定于明年上半年。

 

2016年12月底，由长江存储主导的国家存储器基地正式动土，官方预期分三阶段进行建设，总共要建立三座3D-NAND Flash厂房。第一阶段厂房在去年9月完成兴建，预期2018年第三季开始移入机台，在第四季进行试产，初期投片不超过1万片，用于生产32层3D-NAND Flash产品，在64层技术逐步成熟后，再视情况拟定第二、三期生产计划。

 

随着中国存储器产品逐步成熟，预计2020-2021年两家DRAM厂商现有工厂将渐渐满载，最好的情况下，到时两家合计约有每月25万片的投片规模，可能将开始影响全球DRAM市场的供给。另一方面，长江存储计划设有的三座厂房总产能可能高达每月30万片，不排除长江存储完成64层产品开发后，可能将进行大规模的投片，进而在未来三到五年对NAND Flash的供给产生重大影响。 


本文关键词：NAND Flash

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