everspin 并行MRAM芯片MR4A16BMA35R
2018-05-18 15:00:48
Everspin MR4A16BMA35R容量：16Mb数据结构：1Mb*16总线速度：35ns工作电压：3.3V工作温度：C,M（-0~+70摄氏度）16位并行总线接口，数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护，以防止在非工作电压期间写入。这款并行mram器件能够在商业级（0至+70 °C）、工业级（-40至+85 °C）与扩展级（-40至+105 °C）温度范围内工作，并在整个温度范围内保持高度可靠的数据存储能力。MR4A16B采用48引脚球栅阵列 (BGA) 小型封装和54引脚微小外形封装 (TSOPII)。
特性
读取/写入周期时间：35ns
真正无限次擦除使用
业内最长的寿命和数据保存时间----超过20年的非挥发特性
可取代多种存储器----集闪存、SRAM、EEPROM以及BBSRAM的功能于一身
采用MRAM取代电池供电的SRAM方案，解决了电池组装、可靠性以及责任方面的问题
掉电数据自动保护
具备商业级、工业级、扩展级和汽车级的可选温度范围
符合RoHS、兼容SRAM 的TSOPII封装
符合RoHS、兼容SRAM 的BGA封装（板面积缩小了3倍）
16位并行总线接口MRAM
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Density
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Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp |
| 16Mb | 1Mx16 | MR4A16BYS35 | 54-TSOP | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
| 16Mb | 1Mx16 | MR4A16BCYS35 | 54-TSOP | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 16Mb | 1Mx16 | MR4A16BMA35 | 48-BGA | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
| 16Mb | 1Mx16 | MR4A16BCMA35 | 48-BGA | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 16Mb | 2Mx8 | MR4A08BYS35 | 44-TSOP | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
| 16Mb | 2Mx8 | MR4A08BCYS35 | 44-TSOP | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 16Mb | 2Mx8 | MR4A08BMA35 | 48-BGA | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
| 16Mb | 2Mx8 | MR4A08BCMA35 | 48-BGA | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
本文关键词：并行MRAM
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