Everspin MR4A16BCMA35由1,048,576字 x 16位构成。对于这款并行MRAM来说，数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护，以防止在非工作电压期间写入。并行MRAM是大多数手机 、 移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从MRAM芯片技术的特性上来看，可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题，明显改变消费者使用电子没备的方式。

 

并行MRAM特性
 

+3.3V电源

35 ns快速读/写周期

SRAM兼容时序

出色的耐读/写能力

在工作温度范围内数据保持期长达20年以上而不会丢失

符合RoHS标准的小外形BGA和TSOP封装

 

并行mram优势
 

一个存储器即可替代系统中的闪存、SRAM、EEPROM和BBSRAM，获得更简单、高效的设计

替代电池供电的SRAM，提高可靠性

本文关键词：并行MRAM

 

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