Everspin MR2A16ACYS35 4MB并行MRAM
2018-05-25 14:43:59
前身为飞思卡尔半导体半导体产品部的Everspin Technologies公司已将4Mb M_作为标准产品，并对客户进行批量供货，这款名为MR2A16ACYS35的产品存取时间为25及30纳秒，具体参数可以看考规格书，Everspin Technologies公司是全球领先的分立和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）的设计，制造领导者，其市场和应用领域的数据持久性和完整性 ，低延迟和安全性至关重要。 凭借在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场部署的超过7000万个MRAM和ST-MRAM产品，Everspin建立了世界上MRAM用户最强大，发展最快的基础。
Everspin MR2A16ACYS35为524,288字 x 8位的4,194,304位磁阻随机存取存储器 (MRAM)。数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护，以防止在非工作电压期间写入。对于必须快速、永久地存储和检索关键数据和程序的应用。
Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合，以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品发展蓝图，我们将不断提高MRAM产品的容量，并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。”
以下产品列表为4Mb并行MRAM
|
Density
|
Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp |
| 4Mb | 256Kx16 | MR2A16AYS35 | 44-TSOP | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
| 4Mb | 256Kx16 | MR2A16ACYS35 | 44-TSOP | 3.3V | -40 ℃to +85℃ |
| 4Mb | 256Kx16 | MR2A16AVYS35 | 44-TSOP | 3.3V | -40℃ to +105℃ |
| 4Mb | 256Kx16 | MR2A16AMYS35 | 44-TSOP | 3.3V | -40℃ to +125℃ |
| 4Mb | 256Kx16 | MR2A16AMA35 | 48-BGA | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
| 4Mb | 256Kx16 | MR2A16ACMA35 | 48-BGA | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 4Mb | 256Kx16 | MR2A16AVMA35 | 48-BGA | 3.3V | -40℃ to +105℃ |
| 4Mb | 512Kx8 | MR2A08AYS35 | 44-TSOP | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
| 4Mb | 512Kx8 | MR2A08ACYS35 | 44-TSOP | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 4Mb | 512Kx8 | MR2A08AMYS35 | 44-TSOP | 3.3V | -40 ℃to +125℃ |
| 4Mb | 512Kx8 | MR2A08AMA35 | 48-BGA | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
| 4Mb | 512Kx8 | MR2A08ACMA35 | 48-BGA | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
本文关键词：Everspin
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