Everspin推出首款ST-MRAM芯片，推出商用自旋扭矩存储器时代
2018-05-29 15:31:36
谁说科学突破永远不算什么？ Everspin跟进了IBM，TDK和德国研究人员几年前开发的研究成果，并在市场上推出了首款商用自旋扭矩磁阻RAM（ST-MRAM）。该技术通过利用电子“旋转”将数据存储在磁性而非电子状态中，从而提供不易磨损的非易失性存储器。该公司表示，第一颗芯片的尺寸大约是闪存成本的50倍，但典型的NAND模块可以执行大约800 IOPS，ST-MRAM的吞吐量可达400,000，因此非常适合SSD缓存和其他要求苛刻的应用。 Everspin已经开始以DDR3规格发布64Mb DIMMS的工作样本，并表示未来的版本将扩展到千兆字节容量和更快的速度 –
Everspin为高性能存储系统首次推出Spin-Torque MRAM
MRAM领先采样64Mb DDR3 ST-MRAM;与合作伙伴合作准备设计和制造生态系统
亚利桑那州钱德勒市 - 2012年11月12日 - Everspin Technologies在业界率先推出首款自旋扭矩磁阻RAM（ST-MRAM），这是一种新型高性能和超低延迟内存，预计将改变存储架构并有助于推动摩尔定律的不断演变。
ST-MRAM是一款性能优化的存储级存储器（SCM），通过提供非易失性，高耐用性和超低延迟，将当今传统存储器的作用与未来存储系统的需求结合起来。该64Mb器件是Everspin ST-MRAM产品中的第一款产品，计划通过更快的速度扩展至千兆密度存储器。
ST-MRAM。
Gartner研究副总裁Joseph Unsworth表示：ST-MRAM的特性对企业SSD市场特别有吸引力，因为它能够增强和补充闪存技术。 “这项技术的商业化是一个重要的行业里程碑，应该继续推动SSD在数据中心和内存计算架构中的普及。”
第一款将DRAM的速度和耐用性与闪存的非易失性，ST-MRAM相结合的半导体存储器为高性能存储系统的设计人员提供了实现超低延迟，提高可靠性，高循环耐用性和保护数据的能力的功率损失。潜在用途的一个例子是在云存储领域 - 即使添加了更多的用户和内容，更快和一致的数据存储访问也是必需的。
“IDC固态存储和使能技术研究总监Jeff Janukowicz表示：”现有存储器技术面临着在性能，功耗和可靠性达到适当平衡时所面临的严峻挑战。 “第一个64Mb自旋扭矩MRAM的商业化是在更广泛地使用更多种类的非易失性存储器技术以提高存储设备可靠性和提高性能方面的一个行业里程碑。”
Everspin专有的自旋扭矩技术使用自旋极化电流进行开关。数据存储为磁性状态与电子电荷，提供非易失性存储器位，不会出现与Flash技术相关的磨损或数据保留问题。 EMD3D064M 64Mb STMRAM在功能上与DDR3接口的工业标准JEDEC规范兼容，每个I / O每秒传输高达1600万次传输，转换为以纳秒级延迟高达3.2 GBytes /秒的内存带宽。该产品采用符合DDR3标准的行业标准WBGA封装。
ST-MRAM为系统设计人员提供持久，高耐久性存储或内存的优势，适用于要求更高可靠性且需要DDR3速度性能提升的应用。 64Mb密度的MRAM为固态和RAID存储系统以及存储设备中的非易失性缓冲区和高速缓存提供了理想的入口点。 64Mb器件将补充现有的低成本存储器技术，减少了过度使用。
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