三星计划在今年提升64层3D NAND产品的比重，并计划在年内在华城、平泽的工厂抢先量产96层3D NAND产品，甚至还计划抢先竞争对手，开始投入128层3D NAND的研发量产工作。

 

三星的这一系列举动也许将彻底使NAND Flash高层堆叠市场战争爆发，美、日、韩等多国的内存大厂都将参战，市场竞争的激烈程度简直无法想象。

 

美光推进64层3D NAND进程非常顺利，东芝、西部数据也从2017下半年开始量产64层3D NAND。与此同时，为了降低NAND Flash生产成本，提升产品的竞争力，美、日、韩等多国的内存大厂近期都在加速更高层堆叠以及QLC四比特单元存储产品的开发。

 

全球NAND Flash第二大厂东芝已于2017年6月与西数同时宣布，采用BiCS4技术的96层3D NAND已完成研发。现在，随着东芝半导体事业出售案落下实锤，业内普遍认为，未来东芝将会在NAND Flash突飞猛进。

 

而美光与英特尔合作开发的NAND Flash产品，也在最近传出了96层3D NAND研发顺利的消息。

 

至于SK海力士，2017年7月，就已经开始大规模生产72层（第四代）3D NAND闪存芯片。虽然目前SK海力士在NAND Flash领域排名落后，但是SK海力士也决定在2018年完成96层3D NAND产品研发。


本文关键词：3D NAND闪存

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