在全球范围，Everspin已建立起非常良好的用户基础，并且目前还在快速的发展中。Everspin拥有超过500项专利和相关应用，领导in-plane 和 perpendicularMTJ（垂直磁隧道结）的技术发展。同时Everspin与国际大型晶圆厂的良好关系也为大规模量产40nm，28nm以及更先进工艺的MRAM铺平了道路。作为全球第一家商用并批量出货的MRAM制造商，Everspin正在全力推动MRAM在MCU,GPU，DSP，AP及ASIC上作为主存替代SRAM/SDRAM。

Everspin推出一款并行1Mb 非易发性存储芯片MR0A16AMA35，芯片的工作电压为3.3V，封装48-BGA球栅阵列封装，工作温度范围0 ℃to +70℃，高可靠性，具有无限的写入周期及35ns读写时间和SRAM接口时序。典型的应用包括计算机存储系统及服务器、工业自动化和机器人、电能管理、交通以及军用/航空系统。

附表为产品型号表：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

本文关键词：Everspin

 

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