并行MRAM的特性介绍
2018-06-14 14:20:20
MRAM利用电子自旋的磁性提供快速而持久的非易失性存储器。 MRAM将信息存储在与硅电路集成的磁性材料中，以便将RAM的速度与Flash的非易失性相提并论。总部位于亚利桑那州钱德勒的Everspin拥有并运营着一条生产线，用于其磁性后端晶圆加工，采用铸造厂生产的标准CMOS晶圆。Everspin Technologies是一家开发和制造磁性RAM或磁阻随机存取存储器（MRAM）的公共半导体公司，其中包括独立和嵌入式MRAM产品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM），Everspin目前的MRAM产品基于180纳米和130纳米工艺， nm工艺技术节点和行业标准封装。
并行MRAM具有快速、非易失性的SRAM读写周期时间。8位MRAM系列容量为256Kb到16Mb，16位MRAM系列容量为1Mb到16Mb，提供符合RoHS规范的TSOP和BGA两种封装。与所有Everspin非易失性RAM一样，所有器件可无限次读写。
并行MRAM特性
. 读取/写入周期时间：35ns
. 真正无限次擦除使用
. 业内最长的寿命和数据保存时间----超过20年的非挥发特性
. 可取代多种存储器----集闪存、SRAM、EEPROM以及BBSRAM的功能于一身
. 采用MRAM取代电池供电的SRAM方案，解决了电池组装、可靠性以及责任方面的问题
. 掉电数据自动保护
. 具备商业级、工业级、扩展级和汽车级的可选温度范围
. 符合RoHS、兼容SRAM 的TSOPII封装
. 符合RoHS、兼容SRAM 的BGA封装（板面积缩小了3倍）
. 16位并行总线接口MRAM
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