Everspin在2006年从飞思卡尔半导体公司独立分离出来,成立后一直致力于研发MRAM芯片的产品,也是全球第一家生产商业化MRAM芯片,是世界领先的分立和嵌入式MRAM开发商和制造商,产品广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。
Everspin MR256D08BMA45并行MRAM具有兼容SRAM的35ns读/写周期,并拥有出色耐久性。Everspin MR256D08BMA45为32字 x8位的256Kbit磁阻随机存取存储器 (MRAM)。
这款并行MRAM属于非易失性存储芯片,数据保持期长达20年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护,以防止在非工作电压期间写入。并行MRAM是大多数手机 、 移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。
EVERSPN并口mram型号如下:
Density
|
Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp |
256Kb | 32Kx8 | MR256A08BYS35 | 44-TSOP | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
256Kb | 32Kx8 | MR256A08BYS35 | 44-TSOP | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
256Kb | 32Kx8 | MR256A08BMA35 | 48-BGA | 3.3V | 0℃ to +70℃ |
256Kb | 32Kx8 | MR256D08BMA45 | 48-BGA | 3.3VDD, 1.8IO | 0℃ to +70℃ |
256Kb | 32Kx8 | MR256DL08BMA45 | 48-BGA | 2.7VDD min, 1.8IO | 0℃ to +70℃ |
256Kb | 32Kx8 | MR256A08BCMA35 | 48-BGA | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
256Kb | 32Kx8 | MR256A08BCYS35 | 44-TSOP | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
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