2018年8月6日,在圣克拉拉举行的半导体存储行业活动中的技术，CA，MRAM开发者日和闪存峰会。

离散和嵌入式MRAM全球领先的开发商和制造商Everspin在这些活动中展示最新产品STT-MRAM,

会议中心主席兼首席执行官Kevin Conley发表主题演讲

作为MRAM的领导者Everspin以题为“MRAM革命”作为展示主题，在MRAM技术方面，Everspin也在整个展览中占据突出地位，

Everspin的展台采用Everspin最新的旋转传输扭矩MRAM（STT-MRAM）产品和技术，包括：

•与顶级企业存储供应商的第一次重大设计胜利
由Everspin 40nm 256Mb STT-MRAM内存供电。这个设计将低延迟数据持久性的功能带到了公司的NVMe解决方案。通过本机使得数据持久化，
MRAM帮助该供应商实现了新的性能和存储水平容量和可靠性。

•NVMe over Fabric（NVMeoF）现场演示。这个演示具有通过高速以太网结构连接的两台服务器
一个nvNITRO™加速器，可以实现NVMe通信远程持久性内存位置，绕过系统CPU，效率更高。

•作为Xilinx联盟计划的一部分，Everspin将以此为特色，Xilinx FPGA支持MRAM产品解决方案。
•SMART Modular Technologies将与Everspin合作，使用256Mb展示他们的nvNITRO NVMe存储加速器，STT-MRAM实现了无与伦比的低延迟记录。

本文关键词：Everspin

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