目前在非易失性存储芯片占主流的是NAND内存，这一年来不断涨价缺货确实也挺让人揪心的，但是也别无选择，在新一代非易失性存储芯片技术中，MRAM一直被视为替换NAND内存的潜力者，MRAM是同时具有SRAM的快速及非易失性的特点，目前MRAM产品是由Everspin科技公司在生产，日前Everspin发布了一款基于基于MRAM技术的nvNITRO ES1GB、ES2GB硬盘，但是4K随机性能高达150万IOPS，延迟只有6微秒，远远高于目前的企业级SSD硬盘。
之前Everspin生产的MRAM产品技术大都是基于ST(Spin-transfer torque，自旋钮转换)技术，Everspin公司的nvNITRO硬盘也不例外，它基于该公司的256Mb DDR3 STT-MRAM芯片打造，目前实现的容量是1GB和2GB，分别使用32颗、64颗ST-MRAM芯片，接口则是PCI-E 3.0 8x，HHHL半高半长规格，支持NVMe标准。
Everspin推出的第一款STT-MRAM产品采用ST-DDR3，这是一种类似JEDEC的DDR3接口，并需要进行一些修改以充分利用MRAM技术的持久性。这些产品的性能如同持久性DRAM，但无需刷新。其他产品计划将利用高速串行接口用于各种嵌入式应用。4K QD=32随机性能高达150万IOPS，延迟则只有6微秒，这个指标放在高端企业级SSD中也是非常强悍的，Aanandtech网站给出的两个例子就是Intel最强企业级硬盘DC P3700延迟有20微秒，HGST企业级SSD Ultrastar SN260硬盘随机性能也不过120万IOPS。
根据Everspin公司所说，他们预计Q2季度正式推出nvNITRO硬盘，会有U.2、M.2等其他规格的产品，容量也会涵盖512MB到8GB范围。
除此之外，今年晚些时候他们还会推出基于DDR4界面的1Gb ST-MRAM芯片，硬盘容量可以达到4-16GB了。

本文关键词：Everspin   STT-MRAM

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