半导体存储器经过40多年来的发展，根据Yole Developpement市场分析公司的数据，PCM将会迎来迅速的发展的大时机，并预计会实现约50亿美元的销售额在2023年。
 
PCM的市场份额被预估会从2018年的2.73亿美元增长到2023的61亿美元，并将占83
%来自每年独立的新兴非易失性存储器市场份额，大概为86%的复合年增长率。
 
YOLE预计到2023年，ReRAM会上升到销售额排名第二的位置，即使目前ReRAM并未大面积被使用的情况下。
 
新兴的非易失性存储器市场受到来自独立的和嵌入式应用技术市场的冲击。资料来源：Yole Developpement。
 
在SCM及基于PCM的3D XPoint存储器的Intel和Micron的推动，独立非易失性存储器日渐增长。同时存储器厂家海力士也同时在研究类似于英特尔和美光的方法。
 
根据YOLE的分析师Simone Bertolazzi的声明中，可以得知即使围绕嵌入式应用的新兴NVM正在蓬勃发展，也不阻碍独立存储器将会主导市场，而独立存储器的主导是由SCM企业和客户端应用驱动的。
 
DRAM在未来五年仍然会继续不断的扩展，但发展速度应该比之前的慢些，也由于3D集成技术的发展，NAND闪存的容量也将会不断的增加。由于特性及市场的不同，新兴的NVM不会取代独立的DRAM跟NAND FLASH,应该会在组合存储器中对其进行补充。
 
ReRAM有可能成为第一个与3D XPoint相竞争的独立技术，但是由于技术限制，ReRAM的发展还是比较缓慢的，目前Crossbar Inc.和Nantero Inc是支持独立的ReRAM的技术应用的。
 
新兴的非易失性存储器因应用而发展。
 
ReRAM有可能与SCM再次作为竞争者在2020年之后，在高速性及高耐久性上，STT-MRAM也认为很有应用前景但限于制作工艺的复杂性未能大面积被应用。
 
目前来看STT-MRAM正在为微控制器增添动力相对于新兴非易失性存储器的嵌入式市场，所有主流的代工厂都参与了STT-MRAM的领域加速研发STT-MRAM。
 
与独立市场相比，嵌入式新兴NVM从2017市场份额来看只占了3%相对性市场规模还是比较小的，所有顶级代工厂都在准备28nm或22nm的STT-MRAM产品。
 
Yole预测，到2023年，STT-MRAM将占据每年11亿美元的市场份额的四分之三左右，其余大部分将用于ReRAM技术。
本文关键词：MRAM

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