最近，韩国存储器设计Fabless公司济州半导体JSC官网开展了与联华电子的合作，在韩国掀起了不小的风波。不少韩国学术界人士表示，济州半导体JSC有可能利用韩国的稅金进行研发，并协助对韩国半导体造成不定威胁的中国，并质疑大陆与台湾地区想就此机会通过金钱购买DRAM技术，并进入批量生产阶段。
 
事件的起因是，联电与中国福建省合作成立了晋华集成电路公司（JHICC）， 福建晋华将从联电获得32纳米、28纳米DRAM技术并计划年内进入量产。然后，联电和济州半导体又在去年签署了60亿韩币规模的LPDDR4记忆半导体设计合约书。
 
济州半导体JSC官网的态度是，此合作被过度解读。他们认为，尽管济州半导体参与了多项记忆国策研发项目，但针对此次合作，济州半导体提供的设计服务为LPDDR4 DRAM 32纳米产品，并不属于韩国核心技术（30纳米以下产品）。因此，韩国政府暂无证据干涉济州半导体与联电的合作。
 
JSC官网公司相关人士强调，双方合作并非是转让设计IP，而是将锁密的设计数据进行出售，不会引起任何问题。跳槽至中国的技术人员在中国企业设计IP时才不合法，业界应该清楚技术服务协议并不构成问题。同时该公司表示因受限无铸造设施，才会选择UMC进行合作，对于这种单一合同提出质疑并制止销售相当于是让企业终止经营。
 
韩国这次讨论的根源或许是联电与晋华正针对DRAM开展密切的技术合作，韩国担心，保有大量三星电子与SK海力士出身设计人力的济州半导体的此举相当于成为了中国半导体助力。
 
三星电子等韩国国内存储器企业也非常关注本次事件。济州半导体JSC官网设计总负责高管为前三星电子出身，而其下多数设计人员均为三星电子出身。济州半导体存储器设计人力约为40余名。
 
由于晋华在大陆半导体布局中的重要性，以及其进展之快，也曾遭到美光等巨头的“质疑”，济州半导体与联电引发的韩国国内讨论或许可以看作是美光专利诉讼后受“质疑”的下半场。
 
今年以来，韩国对中国半导体的崛起一直持一种“警惕”的态度，比如SK海力士无锡新厂就曾遭到韩国学界的广泛质疑。其实SK海力士8英寸晶圆代工的核心研发是留在韩国的，无锡合资代工厂主要负责生产，同时，SK海力士韩国仍保留了12英寸晶圆代工厂，用于生产CMOS图像传感器等高附加价值产品。
 
韩国对于济州半导体JSC官网与联电合作的质疑，也表现出韩国对中国存储产业高速发展带来竞争的担忧。
 
韩国产业研究院8月份最新研究表明，韩国下半年的出口增长率将停留在15.9％，相较于上半年的42.5％大幅下降。其认为，造成这一问题的最大原因是中国半导体的崛起。韩国研究员表示“预计中国将在明年年初开始投产半导体存储器”，“虽然两国存在较大技术差距，短期内对韩国企业的影响不大，但长期来看，可能会对韩国造成负面影响。”
 
这也在一定程度上折射出韩国半导体发展的问题。如今，韩国过度依赖半导体产业，且产业结构失衡，存储型半导体占到半导体产业80％以上比例。尽管三星，SK海力士在DRAM涨价潮中赚得盆满钵满，但两家公司也清醒地意识到了存储好景不长的现实，正充分利用存储产业带来的产业红利，扩大其非存储业务。韩国专家，对韩国过度依赖存储产业的担忧程度也在不断升级，认为该格局可能带来一场经济危机。

本文关键词：JSC官网

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