everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，由131,072个8位字组成。MR25H10提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟，并且读/写寿命不受限制。
 
与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在内存中随机发生，而两次写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用，MR25H10是理想的存储器解决方案。
 
MR25H10提供5mmx6mm8引脚DFN封装或5mmx6mm8引脚DFN小标志封装。两者均与串行EEPROM，闪存和FeRAM产品兼容。该系列产品中的MR25H10CDF，MR25H10CDC可用于替换Cypress的型号FM24V10.
 
MR25H10可在各种温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业（-40°至+85°C）和AEC-Q1001级（-40°C至+125°C）工作温度范围选项。
 
对于必须使用最少数量的引脚快速存储和检索数据和程序的应用，MR25H10是理想的mram芯片。可提供AEC-Q1001级合格选项。40MHz的读写速度，具有无限的耐力。数据非易失性，保留20年。数据保留掉电。符合RoHS的软件包。
 
1Mb串行SPI MRAM
•无写入延迟
•无限的写续航力
•数据保留超过20年
•断电时自动数据保护
•块写保护
•快速，简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业温度
•提供8引脚DFN或8引脚DFN符合RoHS标准的小标志
包装
•直接替换串行EEPROM，闪存，FeRAM
•AEC-Q1001级选件

1Mb串口MRAM芯片其他型号如下：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	128Kx8	MR25H10CDC	8-DFN	3.3V	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10MDC	8-DFN	3.3V	AEC-Q100 Grade 1
1Mb	128Kx8	MR25H10MDCR	8-DFN	3.3v	AEC-Q100 Grade 1
1Mb	128Kx8	MR25H10MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1
1Mb	128Kx8	MR25H10MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1

我司供应不同容量的MRAM芯片产品，型号可参考以下链接：

https://www.sramsun.com/list-180-1.html

 本文关键词：everspin  SPI MRAM  MR25H10 

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