Everspin在磁存储器设计，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。拥有超过600多项有效专利和申请的知识产权产品组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。英尚微电子作为everspin的核心代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的数据存储.没有写延迟，并且读/写寿命不受限制。
 
产品描述
MR20H40CDF是Everspin 所生产的由4194,304位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备系列，组织为524,288个8位字。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，它们是理想的内存解决方案。它们具有串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟，并且读/写寿命不受限制。与其他串行存储器不同，使用MR2xH40系列，读取和写入都可以在内存中随机发生，而写入之间没有延迟。
 
MR20H40CDF系列可在各种温度范围内提供高度可靠的数据存储。MR20H40CDF MRAM存储芯片（50MHz）提供了（-40°至+85°C）的工业温度范围。MR20H40CDF（40MHz）具有工业（-40°至+85°C），扩展（-40至105°C）和AEC-Q1001级（-40°C至+125°C）工作温度范围选项。两者均采用5x6mm，8引脚DFN封装。该引脚与串行SRAM，EEPROM，闪存和FeRAM产品兼容。

产品图片

 

产品特征
没有写入延迟
•无限的写续航力
•数据保留超过20年
•断电时自动数据保护
•快速，简单的SPI接口，MR20H40的时钟速率高达50 MHz。
•3.0至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业（-40至85°C），扩展（-40至105°C）和AEC-Q100 1级（-40至125°C）温度范围选项。
•提供符合RoHS要求的8引脚DFN或8引脚DFN小标志。
•直接替换串行EEPROM，闪存和FeRAM
•MSL 3级

DFN封装引脚图（顶视图）

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