Everspin AEC认证的汽车应用MRAM
2020-07-16 09:40:04
MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用。Everspin总代理英尚微电子提供技术支持产品解决方案。
下面介绍Everspin AEC认证的汽车应用MRAM
MRAM非易失性存储器几乎可以在任何汽车系统中提高性能并降低成本
•以全总线速度保存数据
•意外断电后立即恢复状态
•提供AEC Q-100合格的1级（-40 / 125°C）和3级（-40 / 85°C）
保护有价值的数据并降低成本MRAM内存是保留宝贵的车辆数据，简化设计并降低BOM成本的最佳解决方案。
保护宝贵数据的最佳解决方案
•不需要额外的内存用于磨损均衡
•消除了昂贵的电容器
•不再需要功率损耗检测电路
•简化系统固件，始终保持非易失性
简化并降低BOM成本
•无限的耐用性，可安全保存程序代码
•快速写入-以系统总线速度工作的内存
•非易失性，数据保持温度> 20年
•不需要电容器，电池或缓冲液
最大化控制系统的数据访问
MRAM在保持非易失性的同时最大化数据收集率
由于较长的读/写周期，耐用性限制而导致数据丢失
无遗漏数据，写入速度与SRAM一样快，非易失性，无磨损，电源故障期间无数据丢失
MRAM像SRAM一样是快速写入的，而像Flash一样也是非易失性的，但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到MRAM，并且即使意外断电或掉电也可以保持持久性。
Everspin AEC认证的汽车应用MRAM
汽车应用Serial MRAM
汽车应用Parellel MRAM
本文关键词：MRAM 汽车MRAM
下面介绍Everspin AEC认证的汽车应用MRAM
MRAM非易失性存储器几乎可以在任何汽车系统中提高性能并降低成本
•以全总线速度保存数据
•意外断电后立即恢复状态
•提供AEC Q-100合格的1级（-40 / 125°C）和3级（-40 / 85°C）
保护有价值的数据并降低成本MRAM内存是保留宝贵的车辆数据，简化设计并降低BOM成本的最佳解决方案。
保护宝贵数据的最佳解决方案
•不需要额外的内存用于磨损均衡
•消除了昂贵的电容器
•不再需要功率损耗检测电路
•简化系统固件，始终保持非易失性
简化并降低BOM成本
•无限的耐用性，可安全保存程序代码
•快速写入-以系统总线速度工作的内存
•非易失性，数据保持温度> 20年
•不需要电容器，电池或缓冲液
最大化控制系统的数据访问
MRAM在保持非易失性的同时最大化数据收集率
由于较长的读/写周期，耐用性限制而导致数据丢失
无遗漏数据，写入速度与SRAM一样快，非易失性，无磨损，电源故障期间无数据丢失
MRAM像SRAM一样是快速写入的，而像Flash一样也是非易失性的，但是不需要页面擦除或长写入周期。事件数据可以以总线速度保存到MRAM，并且即使意外断电或掉电也可以保持持久性。
Everspin AEC认证的汽车应用MRAM
汽车应用Serial MRAM
| Density | Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp | Order Multiple /Tray | MOQ / T&R |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 256Kb | 32Kx8 | MR25H256MDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 |
| 256Kb | 32Kx8 | MR25H256MDCR | 8-DFN | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 |
| 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDC | 8-DFN | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 |
| 256Kb | 32Kx8 | MR25H256MDC | 8-DFN | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 |
| 4Mb | 512Kx8 | MR25H40MDF | 8-DFN sf | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 |
| 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDF | 8-DFN sf | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 |
| 256Kb | 32Kx8 | MR25H256MDF | 8-DFN sf | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 |
| 256Kb | 32Kx8 | MR25H256AMDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 |
| 256Kb | 32Kx8 | MR25H256AMDF | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 |
| 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 |
| 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDCR | 8-DFN | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 |
| 4Mb | 512Kx8 | MR25H40MDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4000 |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128AMDF | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128AMDFR | 8-DFN sf | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 570 | 4,000 |
汽车应用Parellel MRAM
| Density | Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp | MOQ(pcs) / Tray | MOQ(pcs)/ T&R |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 4Mb | 256Kx16 | MR2A16AMYS35 | 44-TSOP2 | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1,500 |
| 1Mb | 64Kx16 | MR0A16AMYS35 | 44-TSOP | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1,500 |
| 4Mb | 512Kx8 | MR2A08AMYS35 | 44-TSOP | 3.3V | AEC-Q100 Grade 1 | 1,500 | 270 |
| 4Mb | 512Kx8 | MR2A08AMYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 1500 | 270 |
| 1Mb | 64Kx16 | MR0A16AMYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1500 |
| 4Mb | 256Kx16 | MR2A16AMYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1500 |
| 2Mb | 128Kx16 | MR1A16AMYS35 | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1500 |
| 2Mb | 128Kx16 | MR1A16AMYS35R | 44-TSOP2 | 3.3v | AEC-Q100 Grade 1 | 270 | 1500 |
本文关键词：MRAM 汽车MRAM
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