XRAM是一种旨在以具有竞争力的价格提供高密度和高性能ram的新型内存体系结构.XRAM使用先进的DRAM技术和自刷新体系结构显着提高了内存密度并简化了用户界面。
 
XRAM是一种基于先进的DRAM工艺，再结合星忆创新的三态DRAM和免刷新DRAM两种专利技术的新型存储器件。不同于传统的DRAM芯片和SRAM，它具有以下特点：
• 成本 同等条件下晶圆面积节省30% ，晶圆产出预估可以增加25%
• 速度, 数据读取延时达到10ns级，相比DRAM要快10倍
• 存储密度, 单片支持Mbit和Gbit
• 功耗, 存储阵列损耗减少40%
• 无刷新, 简化控制器设计和时序操作，完全随机访问，提高总线利用率
• 高可靠性，支持-40~125摄氏度环境温度
 
 
XM8A01M16V33A在功能上等效于异步SRAM，是一种高性能16M CMOS国产SRAM存储器芯片，组织为1024K字乘以16位和2048K字乘以8位，支持异步SRAM存储芯片接口。
     
XM8A01M16V33A特征
•异步XRAM芯片内存
•高速访问时间
•tAA = 10/12纳秒
•低有功功率
•ICC = 80 MHz时为75 mA
•低CMOS待机电流
•ISB2 = 40 mA（典型值）
•工作电压范围：2.2 V至3.6 V
•取消选择时自动掉电
•TTL兼容的输入和输出
•提供44引脚TSOP II，48引脚TSOP I封装和48焊球FBGA封装
 
星忆存储专注于XRAM产品开发设计，提供高性能和低延时，低功耗及免刷新动态随机存储器芯片产品。致力于通过创新型存储芯片技术商业化、产业化的过程，带动国产存储器芯片的底层技术攻关和相关科研工作，从而推动国产存储芯片设计前端产业变革和更进一步的发展。星忆存储代理商英尚微电子支持提供驱动、例程、必要的FAE支持等技术支持。
 

 

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深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

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