S6R8016W（C）1A和S6R8008W（C）1A是一个8,388,608位512Kx16和1Mx8位异步SRAM，以512K（1M）字乘16（8）位组织。S6R8016W（C）1A（S6R8008W（C）1A）使用16（8）条公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，其输出速度比读取周期的地址访问时间快。S6R8016W（C）1A允许通过数据字节控制（UB，LB）访问低字节和高字节。该器件采用先进的CMOS工艺，基于6-TR的单元技术制造，并为高速电路技术而设计。它特别适合用于高密度高速系统应用。
 
特征
•快速访问时间8、10、12、15ns（最大值）
•CMOS低功耗
待机（TTL）：25mA（最大）
（CMOS）：15mA（最大）
工作：80mA（最大8ns）
70mA（最大10ns）
•广泛的电源
-S6R80xxW1A：1.65V〜3.6V电源
•5.0±0.5V单电源
-S6R80xxC1A：5.0±0.5V电源
•TTL兼容的输入和输出
•完全静态操作，无需时钟或刷新
•三态输出
•数据字节控制（x16模式）
LB：I/O0〜I/O7，UB：I/O8〜I/O15
•标准的44TSOP2和48FBGA封装引脚配置。
•在商业和工业温度范围内运行。
     
netsol的前身为韩国Samsung SRAM事业部，分立出来后致力于SRAM芯片的研发与创新，在SRAM存储器领域拥有比较完整的产品线：Quadruple/DDR SRAM ， Synchronous SRAM（同步）， Asynchronous Fast SRAM（异步SRAM）。 现在使用Netsol芯片产品的都为一些电子工业巨头所使用，如3Com和CISCO，ZTE及HUAWEI等。我们的同步高速SRAM产品可与ISSI，Cypress和Lyontek之系列兼容替代，比如Netsol的S7R161882M型号的产品可替代Cypress的CY7C1312KV18型号的SRAM产品，且在某些参数性能上有一定的优势。

本文关键词： NOR Flash

上一篇文章： ​NOR Flash市场增量的几大应用领域
 

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
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