Everspin公司型号EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存储器，在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性。该设备能够以高达1333MT /秒/引脚的速率进行DDR3操作。它的设计符合所有DDR3 DRAM功能，包括设备端接（ODT）和内部ZQ校准，但具有数据持久性和极高的写周期耐久性的优点。借助Spin-Torque MRAM技术，不需要刷新单元，从而大大简化了系统设计并减少了开销。
 
所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步，输入锁存在时钟交叉点。 I / O与一对双向选通脉冲（DQS，DQS）同步。该器件使用RAS / CAS多路复用方案，并在1.5V下工作。
 
特征
•非易失性256Mb（32Mb x 8，16Mb x 16）DDR3
•支持标准DDR3 SDRAM功能
•VDD = 1.5v +/- 0.075v
•高达667MHz fCK（1333MT /秒/针）
•页面大小为512位（x8）或1024位（x16）
•设备上终止
•片上DLL将DQ，DQS，DQS转换与CK转换对齐
•所有地址和控制输入均在时钟的上升沿锁存
•突发长度为8，可编程突发斩波长度为4
•标准10x13mm 78球（x8）或96球（x16）BGA封装
 
DDR3 DRAM兼容性
Everspin DDR3自旋扭矩MRAM与JEDEC标准JESD79-3F中定义的DRAM操作的DDR3标准完全兼容。
•自旋扭矩MRAM是非易失性存储器。无论何时出于任何原因断开设备电源，已关闭/预充电存储区中的所有数据都将保留在内存中。
•在某些情况下，命令时间会有所不同。
•DDR3标准适用于高于256Mb的密度，从而导致寻址和页面大小差异。
•突发类型/突发顺序仅支持CA <2：0 = 000或100的连续突发类型。请参见第30页的“突发长度，类型和顺序”。
 
基本功能
DDR3 STT-MRAM是内部配置为八存储区RAM的高速自旋扭矩磁阻随机存取存储器。它使用8n预取架构来实现高速操作。8n预取架构与旨在在I/O引脚的每个时钟周期传输两个数据字的接口相结合。DDR3 MRAM的单个读或写操作包括内部STT-MRAM内核的单个8n位宽，四个时钟数据传输以及I/O引脚上的两个相应的n位宽，半时钟周期数据传输。
 
对DDR3 STT-MRAM的读和写操作是面向突发的，从选定的位置开始，并按照编程的顺序继续进行八次突发长度或四次“斩波”突发。操作从激活活动命令的注册开始，然后是READ或WRITE命令。与激活命令一致注册的地址位用于选择要激活的存储体和行（[BA0：BA2]选择存储体； A0-A13选择行）；有关特定要求，与READ或WRITE命令一致的已注册地址位用于选择突发操作的起始列位置，确定是否要发出自动预充电命令（通过A10），并“即时”选择BC4或BL8模式。 （通过A12）（如果在模式寄存器中启用）。在正常操作之前，必须以预定义的方式上电并初始化DDR3 STT-MRAM。

EMD3D256M型号表

Density	Org.	Part Number	Voltage	Speed	Temp Rating	Package
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS1T	1.5v +/- 0.075v	667	Commercial	96-BGA
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS1R	1.5v +/- 0.075v	667	Commercial	96-BGA
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1333	0-85	BGA
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-187CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1066	0-85	BGA
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1333	0-85	BGA
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-187CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1066	0-85	BGA
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1333	0-85	BGA
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-187CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1066	0-85	BGA
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1333	0-85	BGA
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-187CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1066	0-85	BGA
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS1	1.5v +/- 0.075v	667	Commercial	78-BGA
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS1T	1.5v +/- 0.075v	667	Commercial	78-BGA
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS1R	1.5v +/- 0.075v	667	Commercial	78-BGA
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS1	1.5v +/- 0.075v	667	Commercial	96-BGA

本文关键词：ST-DDR3  EMD3D256M08

相关文章：everspin代理MR3A16A 512Kx 16 MRAM中文数据规格书 

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。