在现有的单片机MCU的设计上，由于片内RAM空间不足，想要解决这个问题要么换更大RAM的MCU，要么就外扩PSRAM。方案选择主要有两个问题需要考虑：1.PSRAM的数据位数；2.是否使用锁存器。由于IO口资源有限，同时为保证片外PSRAM的速度。
 
由于单片机RAM内存比较小，限制了很多单片机MCU在智能硬件上的应用，在一般的存储芯片中PSRAM是属于伪静态SRAM存储芯片，PSRAM具有SRAM一样的简单明了的接口设置，也不需要像DRAM那样需要刷新，却具有DRAM单管的工艺结构，可以在相同单位面积的die(裸片)切割更多的存储芯片，价格相对比SRAM要便宜，在早期的应用中，比较常见的是像智能手机，电子字典等，或者比如展讯的SC6530、锐迪科的8851、MTK的6250等都有集成Psram的嵌入。
 
外扩PSRAM一般用做内存使用，应用程序的数据就是映射到片外的。所以PSRAM的可靠性必须要保证，必须是零容忍。不然就会出现异常死机的情况。这对于产品来说是绝对不允许的。所以虽然硬件软件已经通了，但对PSRAM的压力测试还是很有必要的。
 
我司英尚微推出的EMI产品EMI7064LSME正是一款串行pSRAM器件，容量64Mbit，一般来说如果外扩单片机MCU的RAM资源的话，需要占用单片机的大量的管脚，而EMI7064LSME这个器件只需要单片机支持SPI接口或者Quad SPI接口就可以实现RAM资源外扩，非常适合于各类智能硬件的应用如图像处理、数据加密、语音处理、流媒体应用、数据采集、通信数据处理等。
 
国产pSRAM伟凌创芯（EMI）64Mbit Serial SRAM，支持1.8v & 3.0V 64Mbit 的SPI/QPI SRAM设备。该RAM可配置为1位输入和输出独立或4位I/O公共接口。所有必要的刷新操作都由设备本身负责。EMI代理商支持提供样品测试及产品解决方案。
 
 
本文关键词：MM32F103 灵动微电子

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