Everspin公司生产的MRAM用于数据持久性和应用的市场和应用。Everspin MRAM应用在数据中心和云存储、汽车和运输市场。MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力——能够将存储存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。
 
MR25H10CDC是一款位宽128Kx8的非易失存储器MRAM芯片。MR25H10CDC提供串行EEPROM和串行闪存兼容读/写时序，无写延迟和无限读/写耐久性。读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，MR25H10CDC在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业（-40℃至+85℃）和AEC-Q1001级（-40℃至+125℃）工作温度范围选项。MR25H10CDC采用5mmx6mm8引脚DFN封装。两者都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。Everspin代理英尚微支持提供产品相关技术支持。
 
1Mb串行mram特性
•无写入延迟
•无限写入耐久性
•数据保留超过20年
•断电时自动数据保护
•块写保护
•快速、简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业温度
•提供8引脚DFN RoHS兼容封装
•直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM
•AEC-Q1001级选项
 
MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。，市场上已有从非常小的 MRAM 芯片到1Gb芯片的MRAM芯片，并且正在将这种技术用于许多应用。这使得 MRAM 适用于汽车、工业、军事和太空应用。

MR25H10系列产品

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	Order Multiple / T&R	MOQ / T&R
1Mb	128Kx8	MR25H10CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	4,000	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDC	8-DFN	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	4,000	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	4,000	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	4,000	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	4000	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDCR	8-DFN	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	4000	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	4000	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	4000	4000

本文关键词：MR25H10CDC  

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