Everspin Technologies是全球领先的磁阻式随机存取存储器(MRAM)非易失性解决方案生产商，为全球存储器应用提供非易失性解决方案，在2021年12月8日，该公司赢得了2021年SEMI美洲奖。
 
Everspin Technologies总部位于亚利桑那州钱德勒，因与GlobalFoundries合作开发首个商业化自旋转移矩(STT)存储器而获奖。采用28nm工艺的新型Everspin1-gigabayte(GB)STT-MRAM设备是同类产品中的世界首创。MRAM提供类似于SRAM的性能特征，同时在系统断电期间保持其电荷和数据。
 
STT-MRAM存储元件的实施使应用材料、佳能-Anelva、LAMResearch和东京电子开发的一类新工艺工具的部署成为可能。
 
STT-MRAM有潜力成为领先的存储技术。其高性能内存可与DRAM和SRAM相媲美，同时可缩小到10纳米(nm)以下，而且闪存成本低。
 
STT-MRAM是业界最强大、最通用的非易失性存储器，它有望让日常电子产品更快地访问数据，同时消耗更少的功率。
 
Everspin的开创性开发和STT-MRAM的推出为先进的存储技术铺平了道路，使芯片规模得以延续。
 
Everspin是设计制造分立式Toggle MRAM和SST-MRAM并将其商业运送到数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用中。该公司拥有超过1.3亿个MRAM和SST-MRAM产品，部署在数据中心、云存储、能源、工业和运输市场，包括汽车。

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