相变存储器和磁性ram两种新兴的非易失性存储器类型，将在未来十年引领它们在独立存储器领域的领先地位。
 
虽然目前有多种新兴内存技术正在开发中，英特尔的相变内存称为 3D XPoint 内存或 Optane 将在 2025 年和 2030 年主导独立的新兴非易失性内存市场，这是部分原因是英特尔亏本出售内存。
 
新兴内存定义为 PCM、MRAM、ReRAM 和 FeRAM 以及其他。不包括NAND、DRAM、NOR、SRAM、EEPROM等。
 
由英特尔提供的 PCM 将在 2025 年占独立新兴内存市场的 90%，而 MRAM将排在第二位，到 2030 年仍将如此。


本文关键词：PCM,MRAM,SRAM

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