Microchip的电池供电SRAM器件具有真正的无限读写周期、更低的待机电流、更宽的电压范围，并且可以通过SPI或SDI串行总线访问以实现快速数据传输。通过简单地添加电池，NVSRAM即使在断电后也可以保留数据。虽然FRAM是用于长期数据存储的存储器，但NVSRAM非常适合将数据移入和移出应用程序，而无需担心读写周期、磨损和功耗。
 
表1总结了FRAM和NVSRAM之间的主要区别。
 

	NVSRAM(SPI接口)	FRAM(SPI接口)
电源电压	2.5-5.5V	2-3.6V
待机电流	4μA	90μA
最大数据速度	20MHz	40MHz
串行双接口	Yes	No
无限读/写周期	Yes	No
数据保留	直到电池耗尽	10年
温度范围	工业：-40°C 至 +85°C 储存：-65°C 至 +150°C	工业：-40°C 至 +85°C 储存：-55°C 至 125°C
封装	8-Lead SOIC 8-Lead PDIP 8-Lead TSSOP	8-Pin SOIC
价格	低	高

 
NV-SRAM的优势
 
有几个关键特性使NVSRAM成为比FRAM技术更好的解决方案。
•无限写入周期：NVSRAM具有真正的无限写入周期，而FRAM存储单元会随着每次写入而磨损。
•非破坏性读取：FRAM存储器的工作方式是，对于每次读取，数据都会被破坏，并且必须将其写回单元。这实际上计入了内存的写入周期数。但是NVSRAM单元的工作方式意味着没有破坏性读取，并且写入周期的数量确实是无限的。
•数据保留：FRAM可以存储数据十年。NVSRAM数据保留仅受所选电池的限制。
•模式寄存器：NVSRAM使用模式寄存器来选择操作模式：字节、页或顺序。默认状态是连续的，其中内部地址计数器自动递增，页面边界被忽略。在页面模式下，读取和写入限制为一页。当到达页面的最后一个地址时，内部地址计数器将翻转到页面的开头。在字节模式下，只能读取或写入一个字节到设备

本文关键词：NVSRAM,FRAM,SRAM

相关文章： Microchip微芯代理512Kb串行NVSRAM
 

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。