十二英寸新增产能当中约65%为成熟制程（28nm及以上），该制程产能年增率达20%，显见2022年各晶圆代工厂多半将扩产重心放置于十二英寸晶圆产能，且以成熟制程为主轴，而主要扩产动能来自于台积电、联电、中芯国际、华虹集团旗下HHGrace，以及合肥晶合集成。
 
由于近期28nm以上制程节点扩产活动较着重于特殊制程的多元性发展，Power相关功率半导体制程大致可分power discrete与Power IC两大类，其中，以MOSFET、IGBT等功率晶体管为主流产品的power discrete，受到5G基础建设、消费性快充、车用电子、电动车等产品单位功率元件消耗量增加而需求急速增长。
 
整体市场长期由国际IDM厂主导，如英飞凌、安森美、意法半导体等，全球IDM厂囊括约80~90%市占，fabless则占约10~20%。晶圆代工业者方面，除既有fabless客户需求逐年提升外，近年来由于IDM自有工厂扩产进程较为保守，导致供不应求情况频传，IDM厂亦陆续将产品委外给晶圆代工厂。
 
PMIC方面，现阶段多半采取BCD平台技术，并以八英寸0.18-0.11µm制程节点制造为主流。受惠于5G智能手机、数据中心、电动车等技术规格升级，带动PMIC需求于近年来大幅提升，然而，由于八英寸产能增幅有限，以及因应新一代主芯片发布带动的周边料况更新需求，各晶圆代工厂也陆续协助客户将部分PMIC转进至十二英寸生产，而PMIC规划转进制程节点为90/55nm，并以智能手机、服务器等应用为主，包含台积电、联电、力积电、HHGrace、中芯国际等都有布局。


本文关键词：晶圆,PMIC,MOSFET

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